半導体装置。真空チャンバー。ウェハー搬送。
半導体製造装置。真空チャンバー、ウェハー搬送装置、ガス供給系、露光装置部品に対応します。超高真空対応のステンレス316L、電解研磨仕上げ。
半導体製造
平滑な表面（Ra 0.4 µm）は汚染物質を保持しません。超高真空に対応し、業界標準となっています。
基本方針。
316L EP
超高真空チャンバー。電解研磨仕上げ。ヘリウムリーク試験済み。
316L EP製マニホールド
プロセスガス用マニホールド。超高真空対応。
各種
ウェハー搬送ロボットとエンドエフェクター。
特殊材
露光装置のステージと光学マウント。
特殊合金
プラズマチャンバー。特殊材料。
ISO Class 4-7
クリーンルーム環境に適合する材料。
よくあるご質問
平滑な表面（Ra 0.4 µm）は汚染物質を保持しません。超高真空に対応し、業界標準となっています。
超高真空用途では10⁻⁹ atm·cc/秒のリーク率が必要で、ヘリウムリークディテクターで確認します。
材料はアウトガスや発塵があってはなりません。電解研磨した316L、PTFE、一部の樹脂が該当します。
半導体装置は通常年間50〜1,000台。装置メーカー向けです。
超高真空適合証明、電解研磨証明、ヘリウムリーク率の記録。
試作4〜6週間。量産6〜8週間。超高真空試験で2〜3週間が加わります。
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